Toshiba desarrolla una SRAM de fuga extremadamente baja

Toshiba Desarrolla una SRAM de Fuga Extremadamente Baja (XLL SRAM), que Permite que una MCU de Baja Potencia se Encienda Rápidamente desde el Modo ‘Inactivo Prolongado’ TOKIO, 16 de febrero del 2014.— Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció el desarrollo de una Memoria de acceso aleatorio estática (Static Random Access Memory, SRAM) de 65 nm con…

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