Toshiba Lanza los Circuitos Integrados (IC) de Conmutador de Antena RF para Teléfonos Inteligentes Compatibles con LTE-Advanced. Contribuye a la mejora del rendimiento de los teléfonos inteligentes mediante el uso del proceso «TaRF6» de última generación
TOKIO, 14 de septiembre del 2014.— Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció que ha desarrollado los IC de conmutador de antena RF SP12T[1] para teléfonos inteligentes compatibles con la tecnología LTE-Advanced que logran el más bajo nivel de pérdida de inserción[2,4] y distorsión de RF [3,4] en la industria. El embarque de las muestras ya ha comenzado.
Con la difusión de las comunicaciones móviles, la cantidad de bandas de RF y tasas de velocidad de datos está aumentando drásticamente. Los requisitos para los IC de conmutador de antena, que se utilizan en los circuitos de RF de los dispositivos móviles, se están inclinando hacia los múltiples puertos y las mejoras en el rendimiento de RF, incluidas la pérdida de inserción y de linealidad. Además, para satisfacer el crecimiento drástico de los dispositivos de comunicación móvil de alta velocidad de datos en los mercados emergentes, es necesario lograr estas mejoras de rendimiento de RF en un método rentable.
En respuesta a estas necesidades, Toshiba ha desarrollado “TaRF6”, un proceso de nueva generación de TarfSOITM (Toshiba advanced RF SOI) [5] que utiliza la tecnología de silicio sobre aislante (silicon-on-insulator, SOI)[6]. TarfSOITM logra la integración de los circuitos analógicos, digitales y de RF en un solo chip. En comparación con otras soluciones convencionales, tales como GaAs, ofrece una solución rentable que soporta las funciones de conmutación de alta complejidad y el rendimiento de RF.
Con el nuevo proceso «TaRF6«, se han desarrollado y utilizado MOSFET personalizados para aplicaciones de conmutación de RF en el nuevo IC de conmutador de antena RF SP12T, lo que produce un rendimiento de 0,42 dB en pérdida de inserción (f=2,7 GHz) y -90 dBm en segunda distorsión armónica[7]. En comparación con los productos que utilizan el proceso anterior «TaRF5«, hay una mejora de 0,26 dB en la pérdida de inserción (f=2,7 GHz) y una mejora de 18 dB en la segunda distorsión armónica. La menor pérdida de inserción puede contribuir al bajo consumo de energía de los teléfonos inteligentes, mientras que la menor distorsión puede contribuir al desarrollo de teléfonos inteligentes de agregación de portadores[8] que requieren una baja distorsión.
Toshiba ampliará la línea de productos mediante el proceso «TaRF6» con baja pérdida de inserción y baja distorsión para fin de año, para poder cumplir con los requisitos de múltiples puertos y funciones complejas exigidas en LTE, que se está implementando en todo el mundo, y la próxima tecnología de LTE-Advanced[9]. Además, Toshiba está considerando la posibilidad de ofrecer servicios de fundición SOI mediante la tecnología TarfSOITM .
| Notas | ||
| [1] | Conmutador unipolar de doce cambios (Single Pole TwelveThrow Switch) | |
| [2] | La pérdida de energía eléctrica que se produce cuando la corriente pasa de un terminal al otro en un circuito de radiofrecuencia, expresada en decibeles. | |
| [3] | Los componentes de frecuencia innecesarios que aparecen en la señal de salida cuando la corriente pasa de un terminal a otro en un circuito de frecuencia de radio. | |
| [4] | En el mercado de conmutadores para antena RF al 10 de septiembre de 2014. Estudio de Toshiba. | |
| [5] | TarfSOITM es una marca comercial de Toshiba Corporation. | |
| [6] | La tecnología forma una película de aislamiento bajo el canal del MOSFET y reduce la capacidad parásita al mejorar la velocidad y el ahorro de energía del CMOS LSI. | |
| [7] | Componente de distorsión con el doble de frecuencia. | |
| [8] |
Una técnica para aumentar la velocidad de transmisión de datos utilizando múltiples portadores de frecuencia simultáneamente. Para esta aplicación se requiere un rendimiento armónico más pequeño para evitar la degradación del rendimiento de la recepción por el componente de armónicos que se superpone sobre la banda de receptor. |
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| [9] | Un nuevo estándar de comunicación que desarrolló la organización de desarrollo del estándar 3GPP. Uno de los sistemas de comunicación celular de cuarta generación que definió la Unión Internacional de Telecomunicaciones (ITU, por sus siglas en inglés). | |
Siga este enlace para obtener más información sobre los IC de conmutador de antena RF de Toshiba.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/linear/index.html
Acerca de Toshiba
Toshiba Corporation, una compañía Fortune 500, canaliza las capacidades de clase mundial en los productos eléctricos y electrónicos avanzados, y en los sistemas en cinco ámbitos estratégicos de negocios: Energía e Infraestructura, Soluciones Comunitarias, Sistemas y Servicios de Salud, Dispositivos y Componentes Electrónicos, y Productos y Servicios de Estilos de Vida. Guiada por los principios del Compromiso Básico del Grupo Toshiba, “Comprometidos con la Gente, Comprometidos con el Futuro” (Committed to People, Committed to the Future), Toshiba promueve operaciones internacionales para garantizar el “Crecimiento mediante la Creatividad y la Innovación” (Growth Through Creativity and Innovation), y está contribuyendo a lograr un mundo en el que todas las personas vivan en una sociedad segura y cómoda.
Fundada en Tokio en 1875, Toshiba hoy en día está en el centro de una red global de más de 590 empresas consolidadas que emplean a más de 200 000 personas a nivel mundial, con ventas anuales que superan los 6,5 billones de yenes (63 000 millones de USD).
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