Toshiba Lanza el Diodo de Protección ESD de Pequeño Tamaño para Soportar Líneas de Transmisión de Alta Velocidad
TOKIO, 11 de noviembre del 2013.— Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció recientemente que lanzó el DF4D7M2G, un diodo de protección de descarga electrostática (Electrostatic Discharge, ESD), de pequeño tamaño, que soporta dos líneas de transmisión de datos de alta velocidad. La producción en serie está programada para comenzar en diciembre. Los diodos de protección contra la ESD están diseñados para absorber la energía ESD de los puertos I/O.
El diodo reduce la capacitancia terminal a 0,2 pF (típico), lo que permite usarlo para la protección contra la ESD en interfaces de alta velocidad, como USB 3.0, en dispositivos móviles y en amplificadores de bajo ruido en antenas RF. La adopción del paquete WCSP4 pequeño reduce el tamaño del paquete en un 50 % en comparación con productos equivalentes1, lo que contribuye a un montaje de alta densidad.
Características principales del nuevo producto
- Reducción de la capacitancia terminal que permite el uso en líneas de transmisión de alta velocidad: Ct = 0,2 pF (típico)
- Adopción de paquetes pequeños, lo que permite un montaje de alta densidad: WCSP4 (0,79×0,79 mm, 0,4 mm de ángulo).
- Cumple las pruebas de inmunidad a descarga electrostática IEC61000-4-2: ±8 kV (Contacto), ±15 kV (Aire)
Aplicaciones
Protección contra ESD para interfaces de alta velocidad y antenas RF.
Nota:
- Comparación con “DF6D7M1N“.
Para obtener más información sobre el producto, visite:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=DF4D7M2G&lang=en
Acerca de Toshiba
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