Se agregan productos del tipo de flujo de múltiples bits a la línea de la serie de velocidad extremadamente alta
TOKIO, 23 de diciembre del 2012.— Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) agregó productos de diodos de protección contra descarga electroestática (electrostatic discharge, ESD) del tipo de flujo de múltiples bits (2 y 4 bits) a sus series de velocidad extremadamente alta de baja capacitancia y baja tensión de fijación. Los nuevos productos, DF6D7M1N (2-bit) y DF10G7M1N (4-bit), alcanzan múltiples diodos mientras mantienen la calidad de la señal obtenida por la capa de flujo de baja inductancia. Ya se dispone de muestras y se programa la producción en masa para finales de diciembre.
Aplicaciones
Protección contra ESD para USB 3.0 y otras interfaces
Características clave
- Tipo de flujo de múltiples bits
- Baja tensión de fijación: VC = 12 V (típico) en cumplimiento con IEC61000-4-5 (IPP = 1A)
- Adecuados para líneas de señal de alta velocidad: Ct = 0,3 pF (típico)
- Nivel de inmunidad contra ESD: ± 8 kV garantizado al cumplimiento con IEC61000-4-2 (contacto)
- Paquetes pequeños
DF6D7M1N (2-bit): Paquete DFN6 (1,25 mm x 1,0 mm x 0,5 mm)
DF10G7M1N (4-bit): Paquete DFN10 (2,5 mm x 1,0 mm x 0,5 mm)
*Siga este enlace para recibir más información sobre este producto.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/diode/selection/topics/1266096_2381.html
Acerca de Toshiba
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